Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMT3009LFVW-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4009402DMT3009LFVW-13 ImagineDiodes Incorporated

DMT3009LFVW-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.257
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMT3009LFVW-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMT3009LFVW-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 14.4A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.3W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-PowerVDFN
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    823pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    3.8V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 50A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMT3009LFVW-13”.
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Descriere: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7

Descriere: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW-7

Descriere: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Descriere: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Descriere: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Descriere: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFDF-13

DMT3006LFDF-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.