Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMT3006LDK-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5013826DMT3006LDK-7 ImagineDiodes Incorporated

DMT3006LDK-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.56
10+
$0.474
100+
$0.355
500+
$0.261
1000+
$0.201
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMT3006LDK-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMT3006LDK-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    V-DFN3030-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 12A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.1W (Ta)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-PowerWDFN
  • Alte nume
    DMT3006LDK-7DICT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1320pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    22.6nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 17.1A (Ta), 46.2A (Tc) 1.1W (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    17.1A (Ta), 46.2A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMT3006LDK-7”.
DMT3004LPS-13

DMT3004LPS-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3003LFG-7

DMT3003LFG-7

Descriere: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3004LFG-7

DMT3004LFG-7

Descriere: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT2S1K-F

DMT2S1K-F

Descriere: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Descriere: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Descriere: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT2P68K

DMT2P68K

Descriere: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT3004LFG-13

DMT3004LFG-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3002LPS-13

DMT3002LPS-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT2P68K-F

DMT2P68K-F

Descriere: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Descriere: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT3006LFDF-13

DMT3006LFDF-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT2S47K-F

DMT2S47K-F

Descriere: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.