Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMT10H010LCT
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2499841

DMT10H010LCT

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.85
50+
$1.495
100+
$1.346
500+
$1.047
1000+
$0.867
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMT10H010LCT
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V TO220AB
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 13A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2W (Ta), 139W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Alte nume
    DMT10H010LCTDI
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    71nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 98A (Tc) 2W (Ta), 139W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    98A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMT10H010LCT”.
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 10A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Descriere: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT-EXTPS

DMT-EXTPS

Descriere: DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER

Producători: Amprobe
In stoc
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT-7-15

DMT-7-15

Descriere: XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT

Producători: Bel
In stoc
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V SO-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Descriere: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT-7-12

DMT-7-12

Descriere: XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT

Producători: Bel
In stoc
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 10A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT-6-12

DMT-6-12

Descriere: XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT

Producători: Bel
In stoc
RFQ
DMT-6-15

DMT-6-15

Descriere: XFRMR LAMINATED 6VA CHAS MOUNT

Producători: Bel
In stoc
RFQ
DMT-8-15

DMT-8-15

Descriere: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Producători: Bel
In stoc
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Descriere: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMT-8-12

DMT-8-12

Descriere: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Producători: Bel
In stoc
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Descriere: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.