Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN60H3D5SK3-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4961239DMN60H3D5SK3-13 ImagineDiodes Incorporated

DMN60H3D5SK3-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.279
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN60H3D5SK3-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS Compliant
  • Foi de date
    DMN60H3D5SK3-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    41W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Producător Standard Timp de plumb
    22 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    354pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN60H3D5SK3-13”.
DMN6070SY-13

DMN6070SY-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN60H080DS-13

DMN60H080DS-13

Descriere: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN60H4D5SK3-13

DMN60H4D5SK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN61D8L-7

DMN61D8L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6069SFGQ-7

DMN6069SFGQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6069SFGQ-13

DMN6069SFGQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6075S-13

DMN6075S-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7

Descriere: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6140L-7

DMN6140L-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN61D8L-13

DMN61D8L-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6075S-7

DMN6075S-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6140L-13

DMN6140L-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6069SFG-7

DMN6069SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN6140LQ-13

DMN6140LQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.