Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN4800LSSL-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4727881DMN4800LSSL-13 ImagineDiodes Incorporated

DMN4800LSSL-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.56
10+
$0.474
100+
$0.355
500+
$0.261
1000+
$0.201
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN4800LSSL-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN4800LSSL-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 8A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.46W (Ta)
  • ambalare
    Original-Reel®
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    DMN4800LSSL-13DIDKR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    798pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8.7nC @ 5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 8A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN4800LSSL-13”.
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Descriere: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Descriere: MOSFET N-CH 50V SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN53D0L-7

DMN53D0L-7

Descriere: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Descriere: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Descriere: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Descriere: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4034SSS-13

DMN4034SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Descriere: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN4034SSD-13

DMN4034SSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.