Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN30H4D0LFDE-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4264407DMN30H4D0LFDE-13 ImagineDiodes Incorporated

DMN30H4D0LFDE-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10000+
$0.122
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN30H4D0LFDE-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN30H4D0LFDE-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 Ohm @ 300mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    630mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    6-UDFN Exposed Pad
  • Alte nume
    DMN30H4D0LFDE-13DI
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    187.3pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    7.6nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.7V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    300V
  • descriere detaliata
    N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    550mA (Ta)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN30H4D0LFDE-13”.
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Descriere: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Descriere: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Descriere: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Descriere: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Descriere: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Descriere: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Descriere: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.