Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN3050S-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2030638DMN3050S-7 ImagineDiodes Incorporated

DMN3050S-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN3050S-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN3050S-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5.2A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.4W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    DMN3050S7
    DMN3050SDITR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    390pF @ 15V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 5.2A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    5.2A (Ta)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN3050S-7”.
DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3042LFDF-13

DMN3042LFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

Descriere: MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSNQ-13

DMN3033LSNQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3051L-7

DMN3051L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3042L-13

DMN3042L-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Descriere: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSNQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Descriere: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3042L-7

DMN3042L-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.