Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > DMN3016LDN-13
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2965692

DMN3016LDN-13

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
10000+
$0.186
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN3016LDN-13
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN3016LDN-13.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    V-DFN3030-8 (Type J)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 11A, 10V
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-PowerVDFN
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Producător Standard Timp de plumb
    16 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1415pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    11.3nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature
    Standard
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 9.2A (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    9.2A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN3016LDN-13”.
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Descriere: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Descriere: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Descriere: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Descriere: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.