Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN2990UFZ-7B
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3605627DMN2990UFZ-7B ImagineDiodes Incorporated

DMN2990UFZ-7B

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.63
10+
$0.447
100+
$0.293
500+
$0.173
1000+
$0.133
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN2990UFZ-7B
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN2990UFZ-7B.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    X2-DFN0606-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    990 mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    320mW (Ta)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    3-XFDFN
  • Alte nume
    DMN2990UFZ-7BDICT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    55.2pF @ 16V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    0.5nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.2V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 250mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)
  • Numărul părții de bază
    DMN2990

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN2990UFZ-7B”.
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Descriere: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Descriere: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Descriere: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Descriere: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Descriere: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Descriere: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Descriere: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Descriere: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Descriere: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.