Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays > DMN2016LHAB-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4878616DMN2016LHAB-7 ImagineDiodes Incorporated

DMN2016LHAB-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.252
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN2016LHAB-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN2016LHAB-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    U-DFN2030-6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Putere - Max
    1.2W
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    6-UDFN Exposed Pad
  • Alte nume
    DMN2016LHAB-7DITR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    20 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1550pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7.5A

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN2016LHAB-7”.
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Descriere: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

Descriere: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Descriere: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.