Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMN10H099SFG-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1686557DMN10H099SFG-7 ImagineDiodes Incorporated

DMN10H099SFG-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2000+
$0.275
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMN10H099SFG-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMN10H099SFG-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    980mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-PowerWDFN
  • Alte nume
    DMN10H099SFG-7DITR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    32 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1172pF @ 50V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    6V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    100V
  • descriere detaliata
    N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMN10H099SFG-7”.
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Descriere: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Descriere: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Descriere: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Descriere: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Descriere: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Descriere: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.