Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DMG6402LVT-7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
686424DMG6402LVT-7 ImagineDiodes Incorporated

DMG6402LVT-7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.51
10+
$0.357
100+
$0.235
500+
$0.139
1000+
$0.107
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DMG6402LVT-7
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    DMG6402LVT-7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TSOT-26
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 7A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.75W (Ta)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Alte nume
    DMG6402LVT-7DICT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    24 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    498pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    11.4nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 6A (Ta) 1.75W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DMG6402LVT-7”.
DMG6968U-7

DMG6968U-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG564050R

DMG564050R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG6968UQ-7

DMG6968UQ-7

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG6968UDM-7

DMG6968UDM-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG564060R

DMG564060R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

Descriere: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG6602SVTQ-7

DMG6602SVTQ-7

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG5640N0R

DMG5640N0R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG6898LSDQ-13

DMG6898LSDQ-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG564H20R

DMG564H20R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7

Descriere: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG564040R

DMG564040R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
DMG6968LSD-13

DMG6968LSD-13

Descriere: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMG564H30R

DMG564H30R

Descriere: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.