Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > DI9400T
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4583414DI9400T ImagineDiodes Incorporated

DI9400T

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$2.62
10+
$2.354
100+
$1.892
500+
$1.555
1000+
$1.288
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    DI9400T
  • Producator / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Conține plumb / RoHS neconform
  • Foi de date
    DI9400T.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 1A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.5W (Ta)
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    8-SMD, Gull Wing
  • Alte nume
    DI9400
    DI9400CT
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    350pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    P-Channel 30V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3.4A (Ta)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „DI9400T”.
NTMS4807NR2G

NTMS4807NR2G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
DI9435T

DI9435T

Descriere: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
TSM4436CS RLG

TSM4436CS RLG

Descriere: MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOP

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
IPI80N06S207AKSA1

IPI80N06S207AKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SI7450DP-T1-E3

SI7450DP-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IXFR48N60Q3

IXFR48N60Q3

Descriere: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
BUK9Y7R6-40E,115

BUK9Y7R6-40E,115

Descriere: MOSFET N-CH 40V LFPAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
DI9942T

DI9942T

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DI9952T

DI9952T

Descriere: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DI9945T

DI9945T

Descriere: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
FQA16N25C

FQA16N25C

Descriere: MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IPU50R2K0CEBKMA1

IPU50R2K0CEBKMA1

Descriere: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
DI9405T

DI9405T

Descriere: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
2N7002T-7-F

2N7002T-7-F

Descriere: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Descriere: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI8469DB-T2-E1

SI8469DB-T2-E1

Descriere: MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFR3910CPBF

IRFR3910CPBF

Descriere: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
PSMN3R3-80PS,127

PSMN3R3-80PS,127

Descriere: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
DI9430T

DI9430T

Descriere: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DI9956T

DI9956T

Descriere: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.