Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - RF > NE3515S02-T1C-A
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2159827NE3515S02-T1C-A ImagineCEL (California Eastern Laboratories)

NE3515S02-T1C-A

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    NE3515S02-T1C-A
  • Producator / Marca
    CEL (California Eastern Laboratories)
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.NE3515S02-T1C-A.pdf
    2.NE3515S02-T1C-A.pdf
  • Tensiune - test
    2V
  • Tensiune - evaluat
    4V
  • Tip tranzistor
    HFET
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    S02
  • Serie
    -
  • Putere - Ieșire
    14dBm
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    4-SMD, Flat Leads
  • Alte nume
    NE3515S02-T1C-A-ND
    NE3515S02-T1C-ATR
    NE3515S02T1CA
  • Figura de zgomot
    0.3dB
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Câştig
    12.5dB
  • Frecvență
    12GHz
  • descriere detaliata
    RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
  • Ratingul curent
    88mA
  • Test curent
    10mA
  • Numărul părții de bază
    NE3515

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „NE3515S02-T1C-A”.
NE3X1WH6-A

NE3X1WH6-A

Descriere: WIRE DUCT SLOTTED ADH SCRW WT 6'

Producători: Panduit
In stoc
RFQ
NE3516S02-T1C-A

NE3516S02-T1C-A

Descriere: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Descriere: FET RF 4V 20GHZ S03

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3516S02-A

NE3516S02-A

Descriere: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A

Descriere: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3515S02-A

NE3515S02-A

Descriere: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3513M04-A

NE3513M04-A

Descriere: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3514S02-A

NE3514S02-A

Descriere: HJ-FET NCH 10DB S02

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3520S03-T1C-A

NE3520S03-T1C-A

Descriere: FET RF 4V 20GHZ S03

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3513M04-T2-A

NE3513M04-T2-A

Descriere: FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

Descriere: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3515S02-T1D-A

NE3515S02-T1D-A

Descriere: FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3520S03-A

NE3520S03-A

Descriere: FET RF 4V 20GHZ S03

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3521M04-A

NE3521M04-A

Descriere: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3511S02-A

NE3511S02-A

Descriere: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3X1WH6

NE3X1WH6

Descriere: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Producători: Panduit
In stoc
RFQ
NE3512S02-A

NE3512S02-A

Descriere: HJ-FET NCH 13.5DB S02

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3521M04-T2-A

NE3521M04-T2-A

Descriere: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

Descriere: HJ-FET NCH 10DB S02

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

Descriere: IC AMP RF LNA 13.5DB S02

Producători: CEL (California Eastern Laboratories)
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.