Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Circuite integrate (IC) > Memorie > AS4C8M32S-7BCNTR
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
789715AS4C8M32S-7BCNTR ImagineAlliance Memory, Inc.

AS4C8M32S-7BCNTR

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2000+
$4.633
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    AS4C8M32S-7BCNTR
  • Producator / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Scrieți timpul ciclului - Word, Page
    2ns
  • Tensiune - Aprovizionare
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnologie
    SDRAM
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    90-TFBGA
  • Temperatura de Operare
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tip de memorie
    Volatile
  • Dimensiunea memoriei
    256Mb (8M x 32)
  • Interfața de memorie
    Parallel
  • Formatul memoriei
    DRAM
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • descriere detaliata
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Frecvența ceasului
    143MHz
  • Timpul de acces
    5.4ns

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „AS4C8M32S-7BCNTR”.
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M16SA-7BCNTR

AS4C8M16SA-7BCNTR

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Descriere: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Descriere: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Descriere: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Descriere: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Producători: Vishay Semiconductor Diodes Division
In stoc
RFQ
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Descriere: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.