Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Circuite integrate (ICS) > Memorie > AS4C32M32MD1A-5BIN
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2157187AS4C32M32MD1A-5BIN ImagineAlliance Memory, Inc.

AS4C32M32MD1A-5BIN

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
240+
$5.734
480+
$5.56
720+
$5.288
1200+
$5.103
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    AS4C32M32MD1A-5BIN
  • Producator / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    AS4C32M32MD1A-5BIN.pdf
  • Modelul ECAD
  • Scrieți timpul ciclului - Word, Page
    15ns
  • Tensiune - Aprovizionare
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    90-FBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • ambalare
    Tray
  • Pachet / Caz
    90-VFBGA
  • Temperatura de Operare
    -40°C ~ 85°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tip de memorie
    Volatile
  • Dimensiunea memoriei
    1Gb (32M x 32)
  • Interfața de memorie
    Parallel
  • Formatul memoriei
    DRAM
  • Producător Standard Timp de plumb
    10 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • descriere detaliata
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Frecvența ceasului
    200MHz
  • Timpul de acces
    5ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „AS4C32M32MD1A-5BIN”.
AS4C32M16SB-7TIN

AS4C32M16SB-7TIN

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M32MD2-25BCN

AS4C32M32MD2-25BCN

Descriere: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M32MD1A-5BINTR

AS4C32M32MD1A-5BINTR

Descriere: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M32MD2-25BCNTR

AS4C32M32MD2-25BCNTR

Descriere: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M16SM-7TCN

AS4C32M16SM-7TCN

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M16SM-7TCNTR

AS4C32M16SM-7TCNTR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M32MD1-5BIN

AS4C32M32MD1-5BIN

Descriere: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M32MD2A-25BCNTR

AS4C32M32MD2A-25BCNTR

Descriere: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M16SB-7TINTR

AS4C32M16SB-7TINTR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M8D1-5TIN

AS4C32M8D1-5TIN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M8SA-6TIN

AS4C32M8SA-6TIN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M32MD2A-25BCN

AS4C32M32MD2A-25BCN

Descriere: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M32MD1-5BINTR

AS4C32M32MD1-5BINTR

Descriere: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M32MD1-5BCN

AS4C32M32MD1-5BCN

Descriere: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M8D1-5TCN

AS4C32M8D1-5TCN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M8D1-5TINTR

AS4C32M8D1-5TINTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M16SM-7TIN

AS4C32M16SM-7TIN

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M16SM-7TINTR

AS4C32M16SM-7TINTR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M32MD1-5BCNTR

AS4C32M32MD1-5BCNTR

Descriere: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C32M8D1-5TCNTR

AS4C32M8D1-5TCNTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.