Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Circuite integrate (ICS) > Memorie > AS4C16M16SA-7TCN
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5914802AS4C16M16SA-7TCN ImagineAlliance Memory, Inc.

AS4C16M16SA-7TCN

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$3.21
10+
$2.885
25+
$2.84
50+
$2.832
108+
$2.53
324+
$2.448
540+
$2.439
1080+
$2.272
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    AS4C16M16SA-7TCN
  • Producator / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    AS4C16M16SA-7TCN.pdf
  • Modelul ECAD
  • Scrieți timpul ciclului - Word, Page
    14ns
  • Tensiune - Aprovizionare
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnologie
    SDRAM
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • ambalare
    Tray
  • Pachet / Caz
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Alte nume
    1450-1255
  • Temperatura de Operare
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tip de memorie
    Volatile
  • Dimensiunea memoriei
    256Mb (16M x 16)
  • Interfața de memorie
    Parallel
  • Formatul memoriei
    DRAM
  • Producător Standard Timp de plumb
    8 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • descriere detaliata
    SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Frecvența ceasului
    143MHz
  • Timpul de acces
    5.4ns

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „AS4C16M16SA-7TCN”.
AS4C16M16SA-6TAN

AS4C16M16SA-6TAN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-6BIN

AS4C16M16SA-6BIN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-6BINTR

AS4C16M16SA-6BINTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-6TANTR

AS4C16M16SA-6TANTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M32MS-6BINTR

AS4C16M32MS-6BINTR

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Descriere: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

Descriere: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Producători: Alliance Memory, Inc.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.