Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > NVGS3130NT1G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2850108

NVGS3130NT1G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
3000+
$0.496
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    NVGS3130NT1G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    NVGS3130NT1G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    6-TSOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    600mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SOT-23-6
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    30 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    935pF @ 16V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    20.3nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „NVGS3130NT1G”.
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
2SK3813-Z-E1-AZ

2SK3813-Z-E1-AZ

Descriere: TRANSISTOR

Producători: Renesas Electronics America
In stoc
RFQ
NTMFS4962NFT3G

NTMFS4962NFT3G

Descriere: MOSFET N-CH 30V SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ZXMP2120G4TA

ZXMP2120G4TA

Descriere: MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
BUK965R8-100E,118

BUK965R8-100E,118

Descriere: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Descriere: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NTMD4884NFR2G

NTMD4884NFR2G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IPD60R520C6BTMA1

IPD60R520C6BTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
NTD65N03R

NTD65N03R

Descriere: MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Descriere: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFS4C08NT3G

NTMFS4C08NT3G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
ZVNL120CSTOB

ZVNL120CSTOB

Descriere: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Descriere: MOSFET N-CH 60V SOT323

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
SQP120N06-6M7_GE3

SQP120N06-6M7_GE3

Descriere: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRFIZ14G

IRFIZ14G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NVGS4111PT1G

NVGS4111PT1G

Descriere: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
GKI07301

GKI07301

Descriere: MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN

Producători: Sanken Electric Co., Ltd.
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.