Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Diode - Redresoare - Single > NHPD660T4G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2949896NHPD660T4G ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NHPD660T4G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.375
5000+
$0.356
12500+
$0.342
25000+
$0.332
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    NHPD660T4G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    NHPD660T4G.pdf
  • Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă
    3V @ 6A
  • Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max)
    600V
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    DPAK
  • Viteză
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Timp de recuperare invers (trr)
    30ns
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Alte nume
    NHPD660T4G-ND
    NHPD660T4GOSTR
  • Temperatura de funcționare - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    5 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipul de diodă
    Standard
  • descriere detaliata
    Diode Standard 600V 6A Surface Mount DPAK
  • Curenți - Scurgeri inverse @ Vr
    30µA @ 600V
  • Curent - Mediu rectificat (Io)
    6A
  • Capacitate @ Vr, F
    -

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „NHPD660T4G”.
BYV98-50-TR

BYV98-50-TR

Descriere: DIODE AVALANCHE 50V 4A SOD64

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
MURH7005R

MURH7005R

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 70A D-67

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
NHP120SFT3G

NHP120SFT3G

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NHP140SFT3G

NHP140SFT3G

Descriere: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NHPJ08S600G

NHPJ08S600G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

Producători: ON Semiconductor
In stoc
RFQ
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

Descriere: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
MBRB745TR

MBRB745TR

Descriere: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A D2PAK

Producători: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In stoc
RFQ
NHPV15S600G

NHPV15S600G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NHP220SFT3G

NHP220SFT3G

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NHP620MFDT3G

NHP620MFDT3G

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
CMR1F-06M BK

CMR1F-06M BK

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Producători: Central Semiconductor
In stoc
RFQ
S10CMHM3/I

S10CMHM3/I

Descriere: DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NHPM220T3G

NHPM220T3G

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
S3BHE3_A/I

S3BHE3_A/I

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
MBR12150LPS-TP

MBR12150LPS-TP

Descriere: 12A,150V,SCHOTTKY,TO-277B PACKAG

Producători: Micro Commercial Components (MCC)
In stoc
RFQ
NHPM120T3G

NHPM120T3G

Descriere: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
RS1BLHRHG

RS1BLHRHG

Descriere: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Producători: TSC (Taiwan Semiconductor)
In stoc
RFQ
NSR0130P2T5G

NSR0130P2T5G

Descriere: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NHPV08S600G

NHPV08S600G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NHPJ15S600G

NHPJ15S600G

Descriere: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.