Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > MVB50P03HDLT4G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
1391812

MVB50P03HDLT4G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    MVB50P03HDLT4G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    MVB50P03HDLT4G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D2PAK-3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 25A, 5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    125W (Tc)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4.9nF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 5V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „MVB50P03HDLT4G”.
FDD390N15ALZ

FDD390N15ALZ

Descriere: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

Descriere: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
IXTK60N50L2

IXTK60N50L2

Descriere: MOSFET N-CH 500V 60A TO-264

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IRFI644G

IRFI644G

Descriere: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NTMFS4C06NT3G

NTMFS4C06NT3G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFS4897NFT3G

NTMFS4897NFT3G

Descriere: MOSFET N-CH 30V SO-8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTD4810NH-35G

NTD4810NH-35G

Descriere: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BSP179H6327XTSA1

BSP179H6327XTSA1

Descriere: MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

Descriere: MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
STP180N55F3

STP180N55F3

Descriere: MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Descriere: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
BUZ73AE3046XK

BUZ73AE3046XK

Descriere: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IRL1104S

IRL1104S

Descriere: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Descriere: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Producători: Global Power Technologies Group
In stoc
RFQ
IRFD320

IRFD320

Descriere: MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.