Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > izolatoarelor > Optoizolatoare - tranzistor, ieșire fotovoltaică > H11G2S
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5805033

H11G2S

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    H11G2S
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    H11G2S.pdf
  • Tensiune - ieșire (Max)
    80V
  • Tensiune - Izolare
    5300Vrms
  • Tensiune - înainte (Vf) (tip)
    1.3V
  • Saturație Vce (Max)
    1V
  • Pornirea / oprirea timpului (tip)
    5µs, 100µs
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    6-SMD
  • Serie
    -
  • Timp de creștere / înălțime (tip)
    -
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    6-SMD, Gull Wing
  • Tipul de ieșire
    Darlington with Base
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 100°C
  • Număr de canale
    1
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip de introducere
    DC
  • descriere detaliata
    Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Rata de transfer curent (Min)
    1000% @ 10mA
  • Raportul curent de transfer (Max)
    -
  • Curent - ieșire / canal
    -
  • Curent - DC înainte (dacă) (max)
    60mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „H11G2S”.
H11G23S

H11G23S

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2SR2VM

H11G2SR2VM

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2300W

H11G2300W

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2SVM

H11G2SVM

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G1SR2VM

H11G1SR2VM

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2300

H11G2300

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2TVM

H11G2TVM

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G1W

H11G1W

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2W

H11G2W

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2

H11G2

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G23SD

H11G23SD

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2M

H11G2M

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2SM

H11G2SM

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2M_F132

H11G2M_F132

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2VM

H11G2VM

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G3

H11G3

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G3300

H11G3300

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2SD

H11G2SD

Descriere: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G1TVM

H11G1TVM

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
H11G2SR2M

H11G2SR2M

Descriere: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.