Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FQN1N50CBU
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
5994008

FQN1N50CBU

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FQN1N50CBU
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FQN1N50CBU.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-92-3
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 Ohm @ 190mA, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    890mW (Ta), 2.08W (Tc)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    195pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    500V
  • descriere detaliata
    N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    380mA (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FQN1N50CBU”.
FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

Descriere: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IXTX20N150

IXTX20N150

Descriere: MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Descriere: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI1056X-T1-E3

SI1056X-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
FDN302P

FDN302P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQN1N60CBU

FQN1N60CBU

Descriere: MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
2N6800U

2N6800U

Descriere: MOSFET N-CH 400V 18LCC

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
CSD19534KCS

CSD19534KCS

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A TO220

Producători: Luminary Micro / Texas Instruments
In stoc
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Descriere: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Producători: LAPIS Semiconductor
In stoc
RFQ
FQNL2N50BTA

FQNL2N50BTA

Descriere: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Descriere: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NDDL01N60ZT4G

NDDL01N60ZT4G

Descriere: MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
NTMFS4946NT3G

NTMFS4946NT3G

Descriere: MOSFET N-CH 30V SO-8FL

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRLR7807ZPBF

IRLR7807ZPBF

Descriere: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
SI7230DN-T1-GE3

SI7230DN-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
NTP18N06G

NTP18N06G

Descriere: MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Descriere: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
STD64N4F6AG

STD64N4F6AG

Descriere: MOSFET N-CH 40V 54A

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
SI3430DV-T1-GE3

SI3430DV-T1-GE3

Descriere: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Descriere: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.