Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FQB4N20LTM
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6502200FQB4N20LTM ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB4N20LTM

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FQB4N20LTM
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FQB4N20LTM.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    3.13W (Ta), 45W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    310pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    5.2nC @ 5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    3.8A (Tc)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FQB4N20LTM”.
FQB3P50TM

FQB3P50TM

Descriere: MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB3N40TM

FQB3N40TM

Descriere: MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB3N60CTM

FQB3N60CTM

Descriere: MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB50N06LTM

FQB50N06LTM

Descriere: MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB3N80TM

FQB3N80TM

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB4N20TM

FQB4N20TM

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB46N15TM_AM002

FQB46N15TM_AM002

Descriere: MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB55N06TM

FQB55N06TM

Descriere: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB4N50TM

FQB4N50TM

Descriere: MOSFET N-CH 500V 3.4A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB4P25TM

FQB4P25TM

Descriere: MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB4N90TM

FQB4N90TM

Descriere: MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB45N15V2TM

FQB45N15V2TM

Descriere: MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB47P06TM-AM002

FQB47P06TM-AM002

Descriere: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB3N90TM

FQB3N90TM

Descriere: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB4N25TM

FQB4N25TM

Descriere: MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB50N06TM

FQB50N06TM

Descriere: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB3P20TM

FQB3P20TM

Descriere: MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB4P40TM

FQB4P40TM

Descriere: MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB44N10TM

FQB44N10TM

Descriere: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQB4N80TM

FQB4N80TM

Descriere: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.