Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDS3580
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6202884FDS3580 ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS3580

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
2500+
$0.857
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDS3580
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FDS3580.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    8-SO
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29 mOhm @ 7.6A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    2.5W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Alte nume
    FDS3580-ND
    FDS3580FSTR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    14 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    6V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    80V
  • descriere detaliata
    N-Channel 80V 7.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    7.6A (Ta)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDS3580”.
FDS2670

FDS2670

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS2734

FDS2734

Descriere: MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3692

FDS3692

Descriere: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO

Producători: Fairchild/ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3601

FDS3601

Descriere: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3612

FDS3612

Descriere: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3812

FDS3812

Descriere: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3570

FDS3570

Descriere: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3682

FDS3682

Descriere: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3890

FDS3890

Descriere: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS2572

FDS2572

Descriere: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3170N7

FDS3170N7

Descriere: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS2672-F085

FDS2672-F085

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3670

FDS3670

Descriere: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS2672

FDS2672

Descriere: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3680

FDS3680

Descriere: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3572

FDS3572

Descriere: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS2582

FDS2582

Descriere: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3512

FDS3512

Descriere: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3672

FDS3672

Descriere: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDS3590

FDS3590

Descriere: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.