Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDN338P_G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
4822592

FDN338P_G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDN338P_G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SuperSOT-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    500mW (Ta)
  • ambalare
    Bulk
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    451pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • Tipul FET
    P-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    1.6A (Ta)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDN338P_G”.
FDN339AN

FDN339AN

Descriere: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN342P

FDN342P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN306P

FDN306P

Descriere: MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN338P

FDN338P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN357N

FDN357N

Descriere: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN340P

FDN340P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN308P

FDN308P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Descriere: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN336P

FDN336P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN335N

FDN335N

Descriere: MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN304P

FDN304P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN337N

FDN337N

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN327N

FDN327N

Descriere: MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN358P

FDN358P

Descriere: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Producători: Fairchild/ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN336P-NL

FDN336P-NL

Descriere: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Descriere: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDN304PZ

FDN304PZ

Descriere: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.