Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDJ128N_F077
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2062530

FDJ128N_F077

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDJ128N_F077
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FDJ128N_F077.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    SC75-6 FLMP
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Distrugerea puterii (Max)
    1.6W (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    SC75-6 FLMP
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    543pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 5V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2.5V, 4.5V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    20V
  • descriere detaliata
    N-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    5.5A (Ta)

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDJ128N_F077”.
FDJ1028N

FDJ1028N

Descriere: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IRF3710L

IRF3710L

Descriere: MOSFET N-CH 100V 57A TO-262

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRFR3711Z

IRFR3711Z

Descriere: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF840LCSTRL

IRF840LCSTRL

Descriere: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SQM60030E_GE3

SQM60030E_GE3

Descriere: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
SI7138DP-T1-E3

SI7138DP-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
IPP80N06S2L11AKSA2

IPP80N06S2L11AKSA2

Descriere: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
IRF7769L2TRPBF

IRF7769L2TRPBF

Descriere: MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
BSC079N10NSGATMA1

BSC079N10NSGATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FDJ1032C

FDJ1032C

Descriere: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IXFR180N06

IXFR180N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
FDJ1027P

FDJ1027P

Descriere: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDJ129P_F077

FDJ129P_F077

Descriere: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDJ127P

FDJ127P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FQD7P20TM

FQD7P20TM

Descriere: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB075N15A

FDB075N15A

Descriere: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
CSD18511Q5AT

CSD18511Q5AT

Descriere: 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

Producători: Luminary Micro / Texas Instruments
In stoc
RFQ
FDJ129P

FDJ129P

Descriere: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDJ128N

FDJ128N

Descriere: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
APT40N60JCU2

APT40N60JCU2

Descriere: MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227

Producători: Microsemi
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.