Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDB8876
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
6589787FDB8876 ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8876

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDB8876
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FDB8876.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-263AB
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 40A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    70W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 15V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    4.5V, 10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 71A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    71A (Tc)

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDB8876”.
FDB8874

FDB8874

Descriere: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8870

FDB8870

Descriere: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB9406L-F085

FDB9406L-F085

Descriere: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8860-F085

FDB8860-F085

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB9403L-F085

FDB9403L-F085

Descriere: MOSFET N-CH 40V 110A

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB86563-F085

FDB86563-F085

Descriere: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8878

FDB8878

Descriere: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8860

FDB8860

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8870-F085

FDB8870-F085

Descriere: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB9406-F085

FDB9406-F085

Descriere: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB9409-F085

FDB9409-F085

Descriere: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8832-F085

FDB8832-F085

Descriere: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB9403-F085

FDB9403-F085

Descriere: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8832

FDB8832

Descriere: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Descriere: MOSFET N-CH 40V

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8896

FDB8896

Descriere: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8896-F085

FDB8896-F085

Descriere: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB86566-F085

FDB86566-F085

Descriere: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB8880

FDB8880

Descriere: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB86569-F085

FDB86569-F085

Descriere: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.