Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FDB016N04AL7
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3231484FDB016N04AL7 ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB016N04AL7

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
800+
$2.76
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FDB016N04AL7
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FDB016N04AL7.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    D²PAK (TO-263)
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 mOhm @ 80A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    283W (Tc)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Alte nume
    FDB016N04AL7-ND
    FDB016N04AL7TR
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    39 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    11600pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    167nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    40V
  • descriere detaliata
    N-Channel 40V 160A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    160A (Tc)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FDB016N04AL7”.
FDB-GP

FDB-GP

Descriere: CONN GUIDE PLATE

Producători: Hirose
In stoc
RFQ
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Descriere: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB-1053-10BK-EL

FDB-1053-10BK-EL

Descriere: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD

Producători: Finisar Corporation
In stoc
RFQ
FDB-1048

FDB-1048

Descriere: WAVELENGTH TUNING BOX

Producători: Finisar Corporation
In stoc
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB0165N807L

FDB0165N807L

Descriere: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Descriere: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Descriere: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB0260N1007L

FDB0260N1007L

Descriere: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB0190N807L

FDB0190N807L

Descriere: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

Descriere: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB-S

FDB-S

Descriere: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Producători: Hirose
In stoc
RFQ
FDB031N08

FDB031N08

Descriere: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB-1054-4BK

FDB-1054-4BK

Descriere: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL

Producători: Finisar Corporation
In stoc
RFQ
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Descriere: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB0105N407L

FDB0105N407L

Descriere: MOSFET N-CH 40V 460A

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB-1051

FDB-1051

Descriere: EVAL BOARD FOR QSFP

Producători: Finisar Corporation
In stoc
RFQ
FDB029N06

FDB029N06

Descriere: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FDB-1052

FDB-1052

Descriere: EVAL BRD TUNABLE SFP+.

Producători: Finisar Corporation
In stoc
RFQ
FDB-P

FDB-P

Descriere: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

Producători: Hirose
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.