Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FCU2250N80Z
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3514704FCU2250N80Z ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU2250N80Z

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$1.73
10+
$1.533
100+
$1.212
500+
$0.94
1000+
$0.742
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FCU2250N80Z
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FCU2250N80Z.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    4.5V @ 260µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    I-PAK
  • Serie
    SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    39W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    585pF @ 100V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    800V
  • descriere detaliata
    N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FCU2250N80Z”.
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

Descriere: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
IRFZ30PBF

IRFZ30PBF

Descriere: MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Descriere: MOSFET N-CH 600V IPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
GA05JT12-247

GA05JT12-247

Descriere: TRANS SJT 1200V 5A

Producători: GeneSiC Semiconductor
In stoc
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Descriere: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCU-2

FCU-2

Descriere: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Descriere: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Descriere: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Producători: Murata Electronics
In stoc
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Descriere: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCU-7

FCU-7

Descriere: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Producători: Bussmann (Eaton)
In stoc
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Descriere: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Descriere: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IXTC200N10T

IXTC200N10T

Descriere: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

Producători: IXYS Corporation
In stoc
RFQ
SPA15N65C3XKSA1

SPA15N65C3XKSA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Descriere: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Descriere: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Descriere: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.