Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FCP20N60
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3898489

FCP20N60

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$7.55
10+
$6.745
100+
$5.531
500+
$4.479
1000+
$3.777
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FCP20N60
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    1.FCP20N60.pdf
    2.FCP20N60.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220-3
  • Serie
    SuperFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 10A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    208W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Alte nume
    FCP20N60_NL
    FCP20N60_NL-ND
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    3080pF @ 25V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    98nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FCP20N60”.
FCP1913H823G-E4

FCP1913H823G-E4

Descriere: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP1913H683J-E2

FCP1913H683J-E2

Descriere: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP20N60FS

FCP20N60FS

Descriere: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP1913H683J

FCP1913H683J

Descriere: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP220N80

FCP220N80

Descriere: MOSFET N-CH 800V 23A

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP1913H823G

FCP1913H823G

Descriere: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP1913H683G-E2

FCP1913H683G-E2

Descriere: CAP FILM 0.068UF 2% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP2416H124G-D1

FCP2416H124G-D1

Descriere: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP22N60N

FCP22N60N

Descriere: MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP1913H823J

FCP1913H823J

Descriere: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP2416H124G

FCP2416H124G

Descriere: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP1913H823J-E2

FCP1913H823J-E2

Descriere: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP1913H683J-E1

FCP1913H683J-E1

Descriere: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP22N60N-F102

FCP22N60N-F102

Descriere: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP2416H124J-D1

FCP2416H124J-D1

Descriere: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP2416H124J

FCP2416H124J

Descriere: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP20N60_F080

FCP20N60_F080

Descriere: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP1913H823G-E2

FCP1913H823G-E2

Descriere: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP1913H823J-E4

FCP1913H823J-E4

Descriere: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP20N60_G

FCP20N60_G

Descriere: INTEGRATED CIRCUIT

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.