Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > FCP104N60
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
2295252

FCP104N60

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$6.73
10+
$6.009
100+
$4.927
800+
$3.605
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    FCP104N60
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 600V 37A TO-220
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    FCP104N60.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-220-3
  • Serie
    SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    104 mOhm @ 18.5A, 10V
  • Distrugerea puterii (Max)
    357W (Tc)
  • ambalare
    Tube
  • Pachet / Caz
    TO-220-3
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4165pF @ 380V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    82nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    10V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    600V
  • descriere detaliata
    N-Channel 600V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Coreea de Sud intenționează să adopte actul de cip pentr...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „FCP104N60”.
FCP0805H681J

FCP0805H681J

Descriere: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP11N60F

FCP11N60F

Descriere: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP104N60F

FCP104N60F

Descriere: MOSFET N-CH 600V TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP1206C123G

FCP1206C123G

Descriere: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP1206C123J

FCP1206C123J

Descriere: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP0805H681G-J1

FCP0805H681G-J1

Descriere: CAP FILM 680PF 2% 50VDC 0805

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP1206C123G-H1

FCP1206C123G-H1

Descriere: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP0805H821G-J1

FCP0805H821G-J1

Descriere: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP099N65S3

FCP099N65S3

Descriere: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP110N65F

FCP110N65F

Descriere: MOSFET N-CH 650V 35A TO220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP11N60

FCP11N60

Descriere: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP11N60N

FCP11N60N

Descriere: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP0805H821G

FCP0805H821G

Descriere: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP1206C123J-H1

FCP1206C123J-H1

Descriere: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP0805H681J-J1

FCP0805H681J-J1

Descriere: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP0805H681G

FCP0805H681G

Descriere: CAP FILM 680PF 2% 50VDC 0805

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP0805H821J

FCP0805H821J

Descriere: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP0805H821J-J1

FCP0805H821J-J1

Descriere: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Producători: Cornell Dubilier Electronics
In stoc
RFQ
FCP099N60E

FCP099N60E

Descriere: MOSFET N-CH 600V TO220

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
FCP11N60N-F102

FCP11N60N-F102

Descriere: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.