Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > BS108ZL1G
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
3125393

BS108ZL1G

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    BS108ZL1G
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    BS108ZL1G.pdf
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 Ohm @ 100mA, 2.8V
  • Distrugerea puterii (Max)
    350mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Box (TB)
  • Pachet / Caz
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Alte nume
    BS108ZL1GOS
    BS108ZL1GOS-ND
    BS108ZL1GOSTB
  • Temperatura de Operare
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Through Hole
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    150pF @ 25V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    2V, 2.8V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    200V
  • descriere detaliata
    N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22

Se raportează că Kioxia va primi aprobarea listei pe 22 n...

2024/11/21

Cea mai recentă platformă optică de siliciu a Tower Semi...

2024/11/20

Industria se recuperează încet.Furnizorul epitaxial IQE i...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Furnizor: Un număr mare de componente GPU din seria RTX 50...

2024/11/18

Valoarea de producție din Taiwan, China Semiconductor va c...

2024/11/17

Extinderea producției de panouri OLED, LG Display va inves...

2024/11/15

Amazon crește eforturile de a crea jetoane AI personalizat...

2024/11/14

Profitul net al Q3 al lui Pegatron a fost de 4,296 miliarde...

2024/11/13
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „BS108ZL1G”.
BS107P

BS107P

Descriere: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
BS107PSTOB

BS107PSTOB

Descriere: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
BS12I

BS12I

Descriere: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BS120E0F

BS120E0F

Descriere: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
BS108/01,126

BS108/01,126

Descriere: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
BS12I-HD-24AWG

BS12I-HD-24AWG

Descriere: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BS12T

BS12T

Descriere: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADS

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BS107ARL1

BS107ARL1

Descriere: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BS107ARL1G

BS107ARL1G

Descriere: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BS107PSTZ

BS107PSTZ

Descriere: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
BS108G

BS108G

Descriere: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BS12I-MC

BS12I-MC

Descriere: SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BS12I-NICAD

BS12I-NICAD

Descriere: NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BS12I-22

BS12I-22

Descriere: 9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BS12T-HD

BS12T-HD

Descriere: 9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BS108,126

BS108,126

Descriere: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Producători: NXP Semiconductors / Freescale
In stoc
RFQ
BS107PSTOA

BS107PSTOA

Descriere: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
BS107G

BS107G

Descriere: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BS12T-MC

BS12T-MC

Descriere: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE W/COVER

Producători: MPD (Memory Protection Devices)
In stoc
RFQ
BS120

BS120

Descriere: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Producători: Sharp Microelectronics
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.