Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - FET, MOSFET - Single > 3LN01C-TB-E
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
44479683LN01C-TB-E ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01C-TB-E

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    3LN01C-TB-E
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    3LN01C-TB-E.pdf
  • Modelul ECAD
  • Vgs (a) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tehnologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    3-CP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Distrugerea puterii (Max)
    250mW (Ta)
  • ambalare
    Tape & Reel (TR)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    3LN01C-TB-E-ND
    3LN01C-TB-EOSTR
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Încărcare prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Tensiunea de transmisie (valorile max.
    1.5V, 4V
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Curent - scurgere continuă (Id) @ 25 ° C
    150mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „3LN01C-TB-E”.
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

Descriere: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
STI100N10F7

STI100N10F7

Descriere: MOSFET

Producători: STMicroelectronics
In stoc
RFQ
IRF7240PBF

IRF7240PBF

Descriere: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

Descriere: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
TPCA8055-H,LQ(M

TPCA8055-H,LQ(M

Descriere: MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
DMP6050SPS-13

DMP6050SPS-13

Descriere: MOSFETP-CH 60VPOWERDI5060-8

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Descriere: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Producători: International Rectifier (Infineon Technologies)
In stoc
RFQ
FK3906010L

FK3906010L

Descriere: MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
FCPF190N65S3R0L

FCPF190N65S3R0L

Descriere: SUPERFET3 650V TO220F PKG

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
BUK9Y41-80E,115

BUK9Y41-80E,115

Descriere: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK

Producători: Nexperia
In stoc
RFQ
CSD18511KTTT

CSD18511KTTT

Descriere: 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

Producători: Luminary Micro / Texas Instruments
In stoc
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Descriere: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Producători: Diodes Incorporated
In stoc
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

Descriere: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Descriere: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Descriere: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

Descriere: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
SI8424DB-T1-E1

SI8424DB-T1-E1

Descriere: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Producători: Electro-Films (EFI) / Vishay
In stoc
RFQ
3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

Descriere: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neȘtiriHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.