Pentru vizitatorii de la Electronica 2024

Rezervați -vă timpul acum!

Nu trebuie decât câteva clicuri pentru a vă rezerva locul și a obține biletul de cabină

Sala C5 Cabina 220

Înregistrare în avans

Pentru vizitatorii de la Electronica 2024
Sunteți cu toții înscrieți -vă! Vă mulțumim că ați făcut o programare!
Vă vom trimite biletele de cabină prin e -mail odată ce v -am verificat rezervarea.
Acasă > Produse > Produse semiconductoare discrete > Tranzistori - JFET-uri > 2SK3666-3-TB-E
RFQs/Comandă (0)
românesc
românesc
70022782SK3666-3-TB-E ImagineAMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SK3666-3-TB-E

Cerere de cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile necesare cu informațiile dvs. de contact. Faceți clic pe „Trimite RFQ” vă vom contacta în scurt timp prin e -mail.Sau trimiteți -ne un e -mail:info@ftcelectronics.com

Preț de referință (în dolari SUA)

In stoc
1+
$0.49
10+
$0.347
100+
$0.228
500+
$0.135
1000+
$0.104
Anchetă online
Specificații
  • Număr parc
    2SK3666-3-TB-E
  • Producator / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantitatea de stoc
    In stoc
  • Descriere
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
  • Condiții libere de stare / stare RoHS
    Plăcuță fără plumb / Compliant cu RoHS
  • Foi de date
    2SK3666-3-TB-E.pdf
  • Tensiune - Cutoff (VGS oprit) @ Id
    180mV @ 1µA
  • Pachetul dispozitivului furnizor
    3-CP
  • Serie
    -
  • Rezistență - RDS (activată)
    200 Ohms
  • Putere - Max
    200mW
  • ambalare
    Cut Tape (CT)
  • Pachet / Caz
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Alte nume
    869-1107-1
  • Temperatura de Operare
    150°C (TJ)
  • Tipul de montare
    Surface Mount
  • Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Producător Standard Timp de plumb
    4 Weeks
  • Condiții de stare fără plumb / stare RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Tipul FET
    N-Channel
  • Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss)
    30V
  • descriere detaliata
    JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP
  • Scurgere curentă (Id) - Max
    10mA
  • Curent - scurgere (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
    1.2mA @ 10V
  • Numărul părții de bază
    2SK3666

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip anunță 500 de concedieri, costurile de restruct...

2024/12/4

Quanta: Cererea AI continuă să fie puternică, cu un flux...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduce semnificativ utilizarea fotorezistă în pro...

2024/12/2

Vishay va investi 51 de milioane de lire sterline în NWF W...

2024/11/29

Amenințarea tarifară a lui Trump, Nvidia, furnizorii Inte...

2024/11/28

Intel va primi subvenții de 7,86 miliarde de dolari în co...

2024/11/27

AMD lansează construcția celei de -a doua faze a Centrulu...

2024/11/26

Cartea grafică NVIDIA RTX 5090 are o suprafață GPU de 74...

2024/11/25

Antropic primește încă o investiție de 4 miliarde de do...

2024/11/23

Semi: Vânzările IC Crește cu 12% în al treilea trim...

2024/11/22
Transport
Plată
Următoarele sunt produsele legate de „2SK3666-3-TB-E”.
2SK3703-1E

2SK3703-1E

Descriere: MOSFET N-CH 60V 30A

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
2SK3662(F)

2SK3662(F)

Descriere: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
2SK3670,F(J

2SK3670,F(J

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

Descriere: JFET N-CH 30V 0.2W CP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
2SK3703

2SK3703

Descriere: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220ML

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
2SK3565(Q,M)

2SK3565(Q,M)

Descriere: MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
2SK3670,F(M

2SK3670,F(M

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
2SK3670(F,M)

2SK3670(F,M)

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
2SK3566(STA4,Q,M)

2SK3566(STA4,Q,M)

Descriere: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
2SK3546J0L

2SK3546J0L

Descriere: MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
2SK3670(T6CANO,A,F

2SK3670(T6CANO,A,F

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
2SK3557-6-TB-E

2SK3557-6-TB-E

Descriere: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
2SK3557-7-TB-E

2SK3557-7-TB-E

Descriere: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
2SK3703-1EX

2SK3703-1EX

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M)

Descriere: MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
2SK3670(T6CANO,F,M

2SK3670(T6CANO,F,M

Descriere: MOSFET N-CH

Producători: Toshiba Semiconductor and Storage
In stoc
RFQ
2SK3547G0L

2SK3547G0L

Descriere: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
2SK354700L

2SK354700L

Descriere: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

Producători: Panasonic
In stoc
RFQ
2SK3704

2SK3704

Descriere: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220ML

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

Descriere: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Producători: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In stoc
RFQ
În calitate de singur distribuitor public de piață deschisă, deținem o combinație unică de acces global, expertiză în industria producției și o calitate dovedită.Prin aceasta, putem crea soluții personalizate, end-to-end lanț de aprovizionare pentru aprovizionarea cu componente electronice și gestionarea stocurilor.
Urmați-ne
termeni si conditiiPolitica de încălcareCere un citatDespre noiContactaţi-neHarta site -ului

Selecteaza limba

Faceți clic pe spațiu pentru a ieși

Limba actuală

Alegeți-vă țara sau regiunea.