Renesas Electronics a finalizat achiziția producătorului de dispozitive de nitruri de galiu (GAN) Tranform pentru un preț anterior de achiziție de 339 milioane dolari.Odată cu finalizarea tranzacției, Renesas Electronics a lansat, de asemenea, 15 modele de referință bazate pe GAN.Achiziția de transformare a lui Renesas Electronics a intensificat concurența cu Infineon în domeniul dispozitivului GAN, în timp ce Infineon a achiziționat GaN Systems anul trecut.
Cele 15 proiecte de referință lansate de Renesas Electronics acoperă o combinație de procesare încorporată, alimentare cu energie electrică, conectivitate și produse analogice.Aceasta include proiectarea tehnologiei Gan Gan Gan Grad Transform, care integrează o soluție de trei sisteme de energie electrică pentru încărcătoarele de baterii auto și vehiculele electrice.
Chris Allexandre, vicepreședinte senior și director general al puterii la Renesas Electronics, a declarat: „Prin integrarea proiectelor de referință la cheie din tehnologiile ambelor companii, clienții pot beneficia imediat de noi produse GAN. Adăugarea GAN în portofoliul nostru de produse consolidează, de asemenea, angajamentul nostru de a dezvolta dezvoltarea noastrăProduse și tehnologii care fac viața oamenilor mai ușoară.
Alte măsuri recente luate de Renesas Electronics pentru consolidarea acestei piețe de nișă includ deschiderea fabricii Kofu, un FAB de wafer de 300 mm special conceput pentru produse electrice;Adăugați o nouă linie de producție de carbură de siliciu (SIC) la fabrica Takasaki;Și a ajuns la un acord cu Wolfspeed pentru a asigura furnizarea stabilă de napolitane SIC pentru următorii 10 ani.
Transformarea a fost fondată în 2007 și are sediul în Golita, California.Predecesorul său a fost Universitatea din California, Santa Barbara.Transform este un inovator de frunte în domeniul semiconductorului GAN, proiectarea, fabricarea și vânzarea produselor de înaltă performanță, extrem de fiabile, adecvate pentru o gamă largă de aplicații de conversie de energie de înaltă tensiune.Proiectarea de referință lansată de această dată include un încărcător de baterii cu două vehicule electrice cu două roți cu două roți, un dispozitiv de vehicule electrice cu trei într -un singur vehicul: încărcător de la bord, convertor DC/DC, un adaptor AC/DC de 240W 48V și un 3,6kW de 3,6kW 48VSistem bidirecțional de alimentare digitală DAB.
În comparație cu dispozitivele tradiționale pe bază de siliciu, materialele largi de bandă (WBG), cum ar fi GAN și SIC, au o eficiență mai mare a puterii, o frecvență de comutare mai mare și o amprentă mai mică, ceea ce le face considerate tehnologii cheie pentru următoarea generație de semiconductori de putere.Condusă de cererea de vehicule electrice, invertoare, servere de centru de date, inteligență artificială (AI), energie regenerabilă, conversie a energiei industriale și aplicații de consum, produsele GaN și SIC sunt de așteptat să crească rapid în următorul deceniu.
